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厂商型号

2SA1418S-TD-E 

产品描述

BIP PNP 0.7A 160V

内部编号

277-2SA1418S-TD-E

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:2000
1000+¥1.5352
2000+¥1.3998
5000+¥1.3095
10000+¥1.2191
25000+¥1.1559
50000+¥1.1288
100000+¥1.1108
最小起订量:1000
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#2

数量:2775
1+¥4.0573
10+¥3.4945
100+¥2.6097
500+¥2.05
最小起订量:1
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#3

数量:2775
1+¥4.0573
10+¥3.4945
100+¥2.6097
500+¥2.05
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2SA1418S-TD-E产品详细规格

规格书 2SA1418S-TD-E datasheet 规格书
2SA1418/2SC3648
2SA1418S-TD-E datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 700mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 400mV @ 25mA, 250mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 100mA, 5V
功率 - 最大 500mW
频率转换 120MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-243AA
供应商器件封装 PCP
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 SOT-89
标准包装名称 TO-243-AA
欧盟RoHS指令 Compliant
包装宽度 2.5
包装高度 1.5
安装 Surface Mount
标签 Tab
PCB 3
包装长度 4.5
引脚数 4
铅形状 Flat
电流 - 集电极( Ic)(最大) 700mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 120MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 400mV @ 25mA, 250mA
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
供应商设备封装 PCP
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 TO-243AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 100mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 High Voltage Switching
配置 Single
外形尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm
身高 1.5mm
长度 4.5mm
最大的基射极饱和电压 -1.2 V
最大集电极基极电压 -180 V
最大集电极发射极饱和电压 -0.5 V
最大集电极发射极电压 -160 V
集电极最大直流电流 -0.7 A
最大基地发射极电压 -6 V
最大工作频率 1 MHz
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.3 W
最小直流电流增益 140
每个芯片的元件数 1
包装类型 PCP
宽度 2.5mm
RoHS RoHS Compliant
增益带宽产品fT 120 MHz
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 6 V, 6 V
系列 2SA1418
品牌 ON Semiconductor
直流电流增益hFE最大值 400
集电极 - 发射极饱和电压 - 0.2 V, 0.12 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 160 V, 160 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO - 180 V, 180 V
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 1.3 W
连续集电极电流 - 0.7 A, 0.7 A

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